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参数资料
| 型号： | IXTN21N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXTK 21N100
IXTN 21N100
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Capacitance Curves
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 500V
I D = 12A
I G = 10mA
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
C iss
C oss
C rss
f = 1 MHz
V DS = 25V
0
50
100
150
200
250
300
0
5
10
15
20
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Source Current vs. Source
to Drain Voltage
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
V DS - Volts
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Fig.10 Transient Thermal Impedance
1
D=0.5
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single pulse
0.001
D = Duty Cycle
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CR5310-1 | TRANSDCR VOTAGE DC 0-1VDC IN |
| 9110-18RED | PATCHCORD .025" SQ SCKT RED 18" |
| CR4420S-15 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-15AAC IN |
| CR4420S-0.5 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-0.5AC IN |
| CR4420S-10 | TRANSDCR CRRNT RMS AC 0-10AAC IN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTN21N100 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N SOT-227B |
| IXTN22N100L | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN30N100L | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN320N10T | 功能描述:MOSFET 320 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTN32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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