参数资料
型号: IXTN90N25L2
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227
产品目录绘图: SOT-227, SOT-227B miniBLOC
标准包装: 10
系列: Linear L2™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 33 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 25V
功率 - 最大: 735W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
IXTN90N25L2
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
1ms
10
10ms
10
10ms
1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100ms
DC
1
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
100ms
DC
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_90N25L2(9R)01-20-09-A
相关PDF资料
PDF描述
IXTP02N50D MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220
IXTP05N100M MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
IXTP08N120P MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
IXTP100N04T2 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
IXTP10N60PM MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTN90P20P 功能描述:分立半导体模块 -90.0 Amps -200V 0.044 Rds RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装:
IXTP 3N100P 制造商:IXYS 功能描述:Bulk
IXTP01N100 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage MOSFET
IXTP01N100D 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP02N120P 功能描述:MOSFET 500V to 1200V Polar Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube