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参数资料
| 型号： | IXTP14N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA14N60P IXTP14N60P
IXTQ14N60P
14
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
30
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
12
V GS = 10V
9V
27
V GS = 10V
9V
24
10
8V
21
8
6
4
2
0
7V
18
15
12
9
6
3
0
8V
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
14
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value
vs. Junction Temperature
12
10
8
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.4
2.0
V GS = 10V
I D = 14A
I D = 7A
6
4
2
0
6V
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 7A Value
vs. Drain Current
16
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
V GS = 10V
T J = 125oC
14
12
2.6
10
2.2
8
1.8
6
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
4
2
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: F_14N60P(5J)12-22-08-G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FVXO-PC53B-705 | OSC 705 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FXO-PC735R-800 | OSC 800 MHZ 3.3V PECL SMD |
| B32521C1105K | FILM CAP 1.0000UF 10% 100V |
| B32520C105K | FILM CAP 1.0000UF 10% 63V |
| IRF6691 | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP14N60PM | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP152N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP15N20T | 功能描述:MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP15N25MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP15N25MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-220(5) |
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