- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18266 > IXTP160N04T2 (IXYS)MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP160N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench T2 TM
Power MOSFET
IXTA160N04T2
IXTP160N04T2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 40V
= 160A
≤ 5m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
40
40
V
V
G
S
(TAB)
V GSM
I D25
I LRMS
I DM
Transient
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
160
75
400
V
A
A
A
TO-220 (IXTP)
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
80
600
A
mJ
G
D
S
(TAB)
P D
T C = 25 ° C
250
W
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T L
T sold
M d
Weight
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
International standard packages
175 ° C Operating Temperature
Avalanche rated
High current handling capability
Low R DS(on)
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
40 V
Easy to mount
Space savings
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
4.0
V
Applications
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 50A, Notes 1, 2
± 200 nA
5 μ A
150 μ A
5 m Ω
? Synchronous Buck Converters
? High Current Switching Power
Supplies
? Battery Powered Electric Motors
? Resonant-mode power supplies
? Electronics Ballast Application
? Class D Audio Amplifiers
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100052(10/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC736-91.4 | OSC 91.4 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 445I32E24M00000 | CRYSTAL 24.00000 MHZ 20PF SMD |
| 34BWDP12B1M2RT | TOG MINI S DPDT O-N-O T PC LF |
| 1CHS1 | MODULE POWER ENTRY MED SNAPIN 1A |
| JWL21RA1A/UCV | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP160N075T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP16N50P | 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP170N075T2 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。