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参数资料
| 型号： | IXTP160N04T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 79nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA160N04T2
IXTP160N04T2
140
120
Fig. 7. Input Admittance
90
80
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
70
25oC
100
60
80
60
T J = 150oC
25oC
- 40oC
50
40
150oC
30
40
20
20
0
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 20V
I D = 80A
I G = 10mA
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
0
10
20
30
40
50
60
70
80
10,000
f = 1MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
Ciss
100
25μs
1,000
Lead Limit
100μs
1ms
Coss
10
10ms
Crss
T J = 175oC
T C = 25oC
DC
100ms
Single Pulse
100
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_160N04T2(V4)10-31-08-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FXO-PC736-91.4 | OSC 91.4 MHZ 3.3V PECL SMD |
| 445I32E24M00000 | CRYSTAL 24.00000 MHZ 20PF SMD |
| 34BWDP12B1M2RT | TOG MINI S DPDT O-N-O T PC LF |
| 1CHS1 | MODULE POWER ENTRY MED SNAPIN 1A |
| JWL21RA1A/UCV | SWITCH ROCKER DPST 16A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP160N075T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id160 BVdass75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N085T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 85V 0.006 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP160N10T | 功能描述:MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP16N50P | 功能描述:MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP170N075T2 | 功能描述:MOSFET 170 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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