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参数资料
| 型号： | IXTP180N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA180N10T
IXTP180N10T
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-263 (IXTA) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
V DS = 10V, I D = 60A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
70
110
6900
923
162
S
pF
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
R G = 3.3 Ω (External)
33
54
42
31
151
ns
ns
ns
ns
nC
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
Q gs
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 25A
39
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Q gd
45
nC
A
A1
4.06
2.03
4.83
2.79
.160
.080
.190
.110
R thJC
R thCH
TO-220
0.50
0.31 ° C/W
° C/W
b
b2
c
c2
0.51
1.14
0.46
1.14
0.99
1.40
0.74
1.40
.020
.045
.018
.045
.039
.055
.029
.055
D
D1
8.64
7.11
9.65
8.13
.340
.280
.380
.320
Source-Drain Diode
E
E1
9.65
6.86
10.29
8.13
.380
.270
.405
.320
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
e
L
L1
2.54
14.61
2.29
BSC
15.88
2.79
.100
.575
.090
BSC
.625
.110
I S
I SM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
180
450
A
A
L2
L3
L4
R
1.02
1.27
0
0.46
1.40
1.78
0.38
0.74
.040
.050
0
.018
.055
.070
.015
.029
V SD
I F = 25A, V GS = 0V, Note 1
0.95
V
t rr
I RM
Q RM
I F = 90A, V GS = 0V
-di/dt = 100A/ μ s
V R = 0.5 ? V DSS
72
5.1
0.18
ns
A
μ C
TO-220 (IXTP) Outline
Notes: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
2. On through-hole packages, R DS(on) Kelvin test contact location must be
5mm or less from the package body.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4, TAB - Drain
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 663S3SS6L | CABLE R/A FEMALE/FEMALE 3POS 6M |
| XRCWHT-L1-0000-006B8 | LED WARM WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-003A4 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-003A3 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XREWHT-L1-0000-00A03 | LED COOL WHITE 7X9MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP182N055T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id182 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP18N60PM | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP18P10T | 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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