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参数资料
| 型号： | IXTP180N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA180N10T
IXTP180N10T
225
Fig. 7. Input Admittance
150
Fig. 8. Transconductance
200
175
150
125
100
135
120
105
90
75
T J = - 40oC
25oC
150oC
75
50
25
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
60
45
30
15
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
250
225
200
175
150
9
8
7
6
5
V DS = 50V
I D = 25A
I G = 10mA
125
4
100
75
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
100,000
1,000.0
100μs
25μs
f = 1 MHz
R DS( on ) Limit
10ms
1ms
100.0
10,000
1,000
Ciss
Coss
10.0
DC, 100ms
1.0
T J = 175oC
T C = 25oC
100
Crss
0.1
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 663S3SS6L | CABLE R/A FEMALE/FEMALE 3POS 6M |
| XRCWHT-L1-0000-006B8 | LED WARM WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-003A4 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XRCWHT-L1-0000-003A3 | LED NEUTRAL WHITE 500MA 7X9 SMD |
| XREWHT-L1-0000-00A03 | LED COOL WHITE 7X9MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP182N055T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id182 BVdass55 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP18N60PM | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP18P10T | 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100 | 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP1N100P | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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