参数资料
型号: IXTP182N055T
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 55V 182A TO-220
标准包装: 50
系列: TrenchMV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 182A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 114nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4850pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXTA182N055T
IXTP182N055T
Fig. 19. Maximum Transient Thermal Impedance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Pulse Width - Second
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_182N055T (4V) 6-01-06-A.xls
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PDF描述
34BWDP31B4M2QT TOG MINI S DPDT O-O-O N PC LF
B32913A3334M289 CAP FILM 0.33UF 760VDC RADIAL
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34BWDP21B4M2QT TOG MINI S DPDT O-N-O N PC LF
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTP18N60PM 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP18P10T 功能描述:MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP1N100 功能描述:MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP1N100P 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP1N120P 功能描述:MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube