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参数资料
| 型号： | IXTP230N075T2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 230A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchT2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 230A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 178nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA230N075T2
IXTP230N075T2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
240
220
200
180
160
140
120
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
320
280
240
200
160
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
100
80
120
6V
60
6V
80
40
20
0
5V
40
0
5V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value
vs. Junction Temperature
240
220
200
180
V GS = 15V
10V
9V
8V
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
160
140
120
100
80
7V
6V
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 230A
I D = 115A
60
40
1.0
0.8
20
0
5V
0.6
0.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 115A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
2.4
80
External Lead Current Limit
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
70
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5145.2772.731 | MOD INLET/CB/MED FILTER 10A PNL |
| NTLUD3191PZTBG | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN |
| FVXO-PC53BR-921.6 | OSC 921.6 MHZ 3.3V PECL SMD |
| FVXO-LC73BR-108 | OSC 108 MHZ 3.3V LVDS SMD |
| B32653A1792J | FILM CAP 7.9NF 5% 1600V MKP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP24N15T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 150V 100 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP24P085T | 功能描述:MOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP260N055T2 | 功能描述:MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP26P10T | 功能描述:MOSFET MOSFET P-CH 200V 26A TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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