参数资料
型号: IXTP2N80P
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
标准包装: 50
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 25V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXTA2N80P
IXTU2N80P
IXTP2N80P
IXTY2N80P
TO-251 (IXTU) Outline
1. Gate
2. Drain
TO-252 (IXTY) Outline
3. Source
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2,4 - Drain
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
2.19
2.38
0.086
0.094
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
A1
A2
0.89
0
1.14
0.13
0.035
0
0.045
0.005
A
A1
b
b1
b2
c
c1
D
E
2.19
0.89
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
6.35
2.38
1.14
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
6.73
.086
0.35
.025
.030
.205
.018
.018
.235
.250
.094
.045
.035
.045
.215
.023
.023
.245
.265
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
e
e1
2.28
4.57
BSC
BSC
.090
.180
BSC
BSC
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
17.02
8.89
17.78
9.65
.670
.350
.700
.380
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
1.91
0.89
2.28
1.27
.075
.035
.090
.050
L1
L2
0.64
0.89
1.02
1.27
0.025
0.035
0.040
0.050
L3
2.54
2.92
0.100
0.115
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
IXTY3N50P MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
IXTY2R4N50P MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
B32231D6334M000 CAP FILM 0.33UF 400VDC AXIAL
B32231D3474K000 CAP FILM 0.47UF 250VDC AXIAL
B32653A8222J000 CAP FILM 2200PF 2KVDC RADIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTP2N95 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2N95A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 950V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IXTP2P45 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
IXTP2P50 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220
IXTP2R4N120P 功能描述:MOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube