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参数资料
| 型号： | IXTY3N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 409pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
IXTA 3N50P
IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500 V
= 3.6 A
≤ 2.0 ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Maximum Ratings
500 V
500 V
TO-220 (IXTP)
D S
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
± 40
3.6
8
3
10
180
V
V
A
A
A
mJ
mJ
G
TO-263 (IXTA)
(TAB)
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 20 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
10
70
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
G
TO-252 (IXTY)
G
S
S
(TAB)
(TAB)
M d
Weight
Mounting torque
TO-220
TO-263
TO-252
(TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
4
g
3
g
0.8
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
l
l
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
Low package inductance
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 50 μ A
3.0
5.5
V
Advantages
I GSS
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
± 100
nA
l
l
Easy to mount
Space savings
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
5
50
μ A
μ A
l
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2.0
?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99200E(12/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY2R4N50P | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK |
| B32231D6334M000 | CAP FILM 0.33UF 400VDC AXIAL |
| B32231D3474K000 | CAP FILM 0.47UF 250VDC AXIAL |
| B32653A8222J000 | CAP FILM 2200PF 2KVDC RADIAL |
| B32653A4154J000 | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY48P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY4N60P | 功能描述:MOSFET PolarHV Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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