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参数资料
| 型号： | IXTY3N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 409pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
3
Fig. 1. Output Char acte r is tics
@ 25 o C
8
Fig. 2. Exte nde d Output Char acte r is tics
@ 25 o C
2.7
2.4
V GS = 10V
8V
7V
7
6
V GS = 10V
8V
2.1
1.8
1.5
1.2
5
4
3
7V
0.9
6V
2
0.6
0.3
0
1
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
3
V D S - V olts
Fig. 3. Output Char acte r is tics
@ 125 o C
2.50
V D S - V olts
Fig. 4. R D S(on ) Nor m aliz e d to 0.5 I D 25
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
2.7
2.4
V GS = 10V
8V
7V
2.25
2.00
V GS = 10V
2.1
1.8
1.75
I D = 3A
1.5
6V
1.50
1.2
0.9
0.6
1.25
1.00
I D = 1.5A
0.3
0
5V
0.75
0.50
0
2
4
6
8
10
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.2
V D S - V olts
Fig. 5. R D S(on) Nor m aliz e d to
0.5 I D 25 V alue vs . I D
3.5
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Dr ain Curr e nt vs . Cas e
Te m pe r ature
2.8
2.4
V GS = 10V
T J = 125 o C
3.0
2.5
2.0
2.0
1.5
1.6
1.2
0.8
T J = 25 o C
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3 4 5
I D - A mperes
6
7
8
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY2R4N50P | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK |
| B32231D6334M000 | CAP FILM 0.33UF 400VDC AXIAL |
| B32231D3474K000 | CAP FILM 0.47UF 250VDC AXIAL |
| B32653A8222J000 | CAP FILM 2200PF 2KVDC RADIAL |
| B32653A4154J000 | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY48P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY4N60P | 功能描述:MOSFET PolarHV Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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