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参数资料
| 型号： | IXTY3N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | TO-252(AA), DPAK-2 Package |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 1.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 409pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 管件 |
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-263 (IXTA) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
R G = 20 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
2.5
3.5
409
48
6.1
15
15
38
12
9.3
3.3
3.4
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
1.8 ° C/W
R thCS
(TO-220)
0.25
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0 V
3
A
I SM
V SD
t rr
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 3 A, -di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
400
5
1.5
A
V
ns
TO-220 (IXTP) Outline
TO-252 AA (IXTY) Outline
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
2.19
2.38
0.086
0.094
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
L3
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.025
0.035
0.100
0.040
0.050
0.115
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTY2R4N50P | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK |
| B32231D6334M000 | CAP FILM 0.33UF 400VDC AXIAL |
| B32231D3474K000 | CAP FILM 0.47UF 250VDC AXIAL |
| B32653A8222J000 | CAP FILM 2200PF 2KVDC RADIAL |
| B32653A4154J000 | CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTY3N60P | 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY48P05T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY4N60P | 功能描述:MOSFET PolarHV Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTY50N085T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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