参数资料
型号: IXTY3N50P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK
产品目录绘图: TO-252(AA), DPAK-2 Package
标准包装: 75
系列: PolarHV™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 欧姆 @ 1.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 409pF @ 25V
功率 - 最大: 70W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 管件
IXTA 3N50P IXTP 3N50P
IXTY 3N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
10.0
1.0
0.1
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXTY2R4N50P MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
B32231D6334M000 CAP FILM 0.33UF 400VDC AXIAL
B32231D3474K000 CAP FILM 0.47UF 250VDC AXIAL
B32653A8222J000 CAP FILM 2200PF 2KVDC RADIAL
B32653A4154J000 CAP FILM 0.15UF 400VDC RADIAL
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTY3N60P 功能描述:MOSFET 3 Amps 600V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY44N10T 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY48P05T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY4N60P 功能描述:MOSFET PolarHV Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTY50N085T 功能描述:MOSFET 50 Amps 85V 20.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube