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参数资料
| 型号： | IXTP4N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTA4N60P
IXTP4N60P
IXTU4N60P
IXTY4N60P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600
= 4
≤ 2.0
V
A
Ω
TO-263 (IXTA)
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
600 V
600 V
± 30
V
± 40
V
G
TO-220 (IXTP)
S
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
4
10
4
15
150
10
A
A
A
mJ
mJ
V/ns
G
D S
TO-251 (IXTU)
(TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 30 Ω
P D
T C = 25 ° C
89
W
G
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
D
S
(TAB)
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
300
260
° C
° C
TO-252 (IXTY)
M d
Weight
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-263
1.13/10 Nm/lb.in.
4 g
3 g
G
S
(TAB)
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Min. Typ. Max.
600
V
Features
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 100 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 100
1
50
V
nA
μ A
μ A
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2.0
Ω
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99423E(04/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32653A2472J000 | CAP FILM 4700PF 2KVDC RADIAL |
| 3631NF/2 | SWITCH TOGGLE SEAL SPST 12A |
| WT25T | SWITCH TOGGLE DPDT SCREW LUG |
| 445W23J14M31818 | CRYSTAL 14.318180 MHZ 9PF SMD |
| FXO-HC738-13.5 | OSC 13.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP4N80 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80P | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP4N90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N90A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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