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参数资料
| 型号： | IXTP4N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 欧姆 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
IXTA4N60P IXTP4N60P
IXTU4N60P IXTY4N60P
6
5.4
4.8
Fig. 7. Input Adm ittance
10
9
8
Fig. 8. Transconductance
4.2
3.6
3
2.4
7
6
5
4
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
1.8
1.2
0.6
0
T J =125 o C
25 o C
-40 o C
3
2
1
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
1
2
3
4
5
6
7
14
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
12
10
8
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 2A
I G = 10mA
6
4
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
2
1
0
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
2
4
6
8
10
12
14
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
10.00
Q G - nanoCoulombs
Fig. 13. Maxim um Transient Therm al
Resistance
f = 1MHz
C iss
1000
1.00
100
C oss
0.10
10
1
C rss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.1
1
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - milliseconds
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PDF描述 |
|---|---|
| B32653A2472J000 | CAP FILM 4700PF 2KVDC RADIAL |
| 3631NF/2 | SWITCH TOGGLE SEAL SPST 12A |
| WT25T | SWITCH TOGGLE DPDT SCREW LUG |
| 445W23J14M31818 | CRYSTAL 14.318180 MHZ 9PF SMD |
| FXO-HC738-13.5 | OSC 13.5 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP4N80 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N80P | 功能描述:MOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP4N90 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
| IXTP4N90A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
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