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参数资料
| 型号： | IXTP50N20PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2720pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXTP50N20PM
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
200V
20A
60 m Ω
N-Chlnnel Enhancement Mode
OVERMOLDED TO-220
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
Maximum Ratings
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
(I XTP...M ) OUTLINE
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
20
120
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
50
1
10
90
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T J
T JM
T stg
- 55 ... +175
175
- 55 ... +175
° C
° C
° C
? Isolated Package
? International Standard Package
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting torque
300
260
1.13/10
2.5
° C
° C
Nm/lb.in.
g
Application
? DC-DC Converters
? Battery Chargers
? Switched-Mode and Reasonant-Mode
Power Supplies
? DC Choppers
? AC Motor Control
? Uninterrupted Power Supplies
? High Speed Power Switching
Applications
Benefits
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
200 V
? Low Gate Charge Results in Simple
Drive Requirement
? Improved Gate, Avalanche and
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
5.0
V
Dynamic dv/dt Ruggedness
? Low Drain Capacitance to Ground
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
? Fast Switching
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 25A, Note 1
T J = 150 ° C
25 μ A
250 μ A
60 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99564G(07/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| IXTP70N085T | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 |
| IXTP7N60PM | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| IXTP7N60P | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| IXTP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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