- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录464 > IXTP50N20PM (IXYS)MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP50N20PM |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2720pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP50N20PM
50
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
45
40
35
30
V GS = 10V
9V
8V
90
80
70
60
V GS = 10V
9V
25
20
15
10
5
0
7V
6V
50
40
30
20
10
0
8V
7V
6V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
50
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
3.2
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Normalized to I D = 25A Value
vs. Junction Temperature
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
I D = 50A
I D = 25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V D S - Volts
T J - Degrees Centigrade
4.2
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 25A Value
vs. Drain Current
22
20
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
3.8
3.4
3
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
V GS = 10V
T J = 175oC
T J = 125oC
T J = 25oC
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| IXTP70N085T | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 |
| IXTP7N60PM | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| IXTP7N60P | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| IXTP8N50PM | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP55N075T | 功能描述:MOSFET 55 Amps 75V 17.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。