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参数资料
| 型号： | IXTP98N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 98A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 98A |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 100µA |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
TrenchMV TM
IXTA98N075T
V DSS
=
75 V
I D25
Power MOSFET
IXTP98N075T
=
R DS(on) ≤
98 A
10 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
T J = 25 ° C to 175 ° C
75
V
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
Transient
75
± 20
V
V
G
S
TAB
I D25
T C = 25 ° C
98
A
I LRMS
I DM
dv/dt
Package Current Limit (RMS):
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
75
280
5
A
A
V/ns
TO-220 (IXTP)
TAB
T J ≤ 175 ° C, R G = 5 Ω
G
I AR
T C = 25 ° C
25
A
S
E AS
P d
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
600
230
mJ
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
-55 ... +175
° C
T JM
T stg
175
-40 ... +175
° C
° C
Features
Ultra-low On Resistance
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
300
260
° C
° C
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
M d
Mounting torque (TO-220)
1.13 / 10 Nm/lb.in.
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Weight
TO-220
TO-263
3.0
2.5
g
g
Advantages
Easy to mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space savings
High power density
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
75
V
Applications
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 100 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.0
4.0
± 200
2
150
V
nA
μ A
μ A
Automotive
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 25 A, Notes 1, 2
10
m Ω
Systems
High Current Switching
Applications
DS99541(04/07)
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32529C684K | FILM CAP 0.6800UF 10% 63V |
| IXTP110N055T | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220 |
| M2025TJW01 | SWITCH ROCKER DPDT 6A 125V |
| IRFS33N15DTRLP | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK |
| IRFS33N15DPBF | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP9P15 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
| IXTP9P20 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
| IXTP9P25 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220 |
| IXTQ100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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