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参数资料
| 型号： | IXTQ16N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 400 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 16N50P
IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
20
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
20
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
3.1
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 8A v s.
Junction Temperature
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 8A v s. Drain
Current
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 16A
2.6
2.4
2.2
2
V GS = 10V
T J = 125oC
1.8
1.6
1.3
I D = 8A
1.6
1.4
1
0.7
0.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
18
16
14
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current v s.
Case Temperature
20
18
16
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
12
14
T J = 125oC
10
12
10
25oC
- 40oC
8
6
4
2
0
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T J - Degrees Centigrade
? 2006 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ180N085T | MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P |
| IXTQ200N06P | MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P |
| IXTQ200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P |
| IXTQ23N60Q | MOSFET N-CH 600V 23A TO-3P |
| IXTQ24N55Q | MOSFET N-CH 550V 24A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ180N055T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ180N085T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 5.5 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ180N10T | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ182N055T | 功能描述:MOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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