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参数资料
| 型号： | IXTQ24N55Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 550V 24A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 550V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Advanced Technical Information
Power MOSFETs
Q-Class
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g , High dv/dt
IXTQ 24N55Q
V DSS = 550 V
I D25 = 24 A
R DS(on) = 0.27 ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-3P (IXTQ)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
550
550
± 30
V
V
V
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
24
96
V
A
A
G
D
S
(TAB)
I AR
T C = 25 ° C
24
A
E AR
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
30
1.5
10
400
-55 to +150
150
-55 to +150
300
mJ
J
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Features
IXYS advanced low Q g process
Low gate charge and capacitances
- easier to drive
- faster switching
International standard packages
Low R DS (on)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Rated for unclamped Inductive load
Weight
6
g
switching (UIS) rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Advantages
Easy to mount
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
550
2.5
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.5
± 100
25
1
V
V
nA
μ A
mA
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
0.27
?
? 2003 IXYS All rights reserved
DS99079(08/03)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ250N075T | MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P |
| IXTQ28N15P | MOSFET N-CH TO-3P |
| IXTQ40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P |
| IXTQ42N25P | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P |
| IXTQ44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26N50P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26P20P | 功能描述:MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ280N055T | 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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