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参数资料
| 型号： | IXTQ22N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 22N60P
IXTV 22N60P
IXTV 22N60PS
22
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
45
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
20
18
16
14
12
V GS = 10V
8V
7.5V
40
35
30
25
V GS = 10V
9V
8V
7.5V
10
20
7V
8
6
7V
15
4
10
6.5V
2
0
6V
5
0
6V
0
1
2
3 4 5
V D S - Volts
6
7
8
9
0
3
6
9
12 15 18
V D S - Volts
21
24
27
30
22
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
V GS = 10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
5V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 22A
I D = 11A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3
0.5 I D25 Value vs. I D
24
Tem perature
2.8
2.6
V GS = 10V
T J = 125 o C
20
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
16
12
8
1.2
1
0.8
T J = 25 o C
4
0
0
5
10
15 20 25
I D - Amperes
30
35
40
45
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2005 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2019ES1G06 | SW TOGGLE SPDT THR .4VA .750"WW |
| CM309S-9.600MABJ-UT | CRYSTAL 9.6000 MHZ 18PF SMD |
| D4C0606S | SWITCH ROTARY 6P-6POS OPEN FRAME |
| B15KV-BA | SW TOGGLE SPDT .4VA VRT BRKT ESD |
| CM309S-5.0000MBHJ-UT | CRYSTAL 5.0000MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ24N55Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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