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参数资料
| 型号： | IXTQ22N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 22N60P
IXTV 22N60P
IXTV 22N60PS
30
27
Fig. 7. Input Adm ittance
30
27
Fig. 8. Trans conductance
24
21
18
15
12
24
21
18
15
12
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
9
6
3
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
9
6
3
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
70
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
60
50
40
9
8
7
6
5
V DS = 300V
I D = 11A
I G = 10m A
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
1.1
0
10
20
Q G
30 40
- nanoCoulombs
50
60
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MH z
C iss
100
Fig. 12. For w ard-Bias
Safe Ope rating Are a
R DS(on) Lim it
25μs
100
C oss
C rs s
10
T J = 150oC
DC
1m s
10m s
100μs
T C = 25oC
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - V olts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - V olts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2019ES1G06 | SW TOGGLE SPDT THR .4VA .750"WW |
| CM309S-9.600MABJ-UT | CRYSTAL 9.6000 MHZ 18PF SMD |
| D4C0606S | SWITCH ROTARY 6P-6POS OPEN FRAME |
| B15KV-BA | SW TOGGLE SPDT .4VA VRT BRKT ESD |
| CM309S-5.0000MBHJ-UT | CRYSTAL 5.0000MHZ 18PF SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ230N085T | 功能描述:MOSFET 230 Amps 85V 4.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ23N60Q | 功能描述:MOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ24N55Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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