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参数资料
| 型号： | IXTQ30N60L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30A 600V TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 335nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Linear L2 TM Power
MOSFET with extended
FBSOA
IXTH30N60L2
IXTQ30N60L2
IXTT30N60L2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 600V
= 30A
≤ 240m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche rated
TO-247
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
Maximum Ratings
600
600
± 20
± 30
30
V
V
V
V
A
TO-3P
(TAB)
I DM
I A
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
80
30
A
A
G
D
S
(TAB)
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
2
540
-55 to +150
J
W
° C
TO-268
T JM
T stg
+150
-55 to +150
° C
° C
G
S
T L
T SOLD
1.6mm (0.063in) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
(TAB)
M d
Weight
Mounting torque (TO-247&TO-3P)
TO-247
1.13/10
6.0
Nm/lb.in.
g
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
TO-3P
TO-268
5.5
4.0
g
g
Features
Designed for linear operation
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Avalanche rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
600
2.5
4.5
± 100
V
V
nA
flammability classification
Guaranteed FBSOA at 75 ° C
Applications
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
50 μ A
300 μ A
240 m Ω
Solid state circuit breakers
Soft start controls
Linear amplifiers
Programmable loads
Current regulators
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS100101(01/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7W-24.000MBB-T | OSC 24.000 MHZ 3.3V SMD |
| IF-30-12 | XFRMR 115/230V 6V 5A 30VA PCB |
| IXFC26N50 | MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 |
| GLDC01A2B | SWITCH SIDE-ROTRY ROLL SNAP SPDT |
| SG901-1059B-5.0-C | 802.11 B/G/N WIRELESS USB MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ30N60P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36N30P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36P15P | 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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