- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18746 > IXTQ30N60L2 (IXYS)MOSFET N-CH 30A 600V TO-3P PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTQ30N60L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30A 600V TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 335nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTH30N60L2 IXTQ30N60L2
IXTT30N60L2
30
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
80
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
27
24
21
18
V GS = 20V
14V
12V
10V
9V
8V
70
60
50
V GS = 20V
14V
12V
10V
9V
15
40
12
7V
30
8V
9
20
6
6V
7V
3
0
5V
10
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
15
20
25
30
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value
vs. Junction Temperature
27
V GS = 20V
12V
2.6
V GS = 10V
24
21
18
15
10V
9V
8V
7V
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
I D = 30A
I D = 15A
12
1.4
9
6
3
0
6V
5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value
vs. Drain Current
35
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.8
V GS = 10V
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
T J = 125oC
T J = 25oC
30
25
20
15
10
1.2
5
1.0
0.8
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
IXYS REF: T_30N60L2(8R)01-20-09-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7W-24.000MBB-T | OSC 24.000 MHZ 3.3V SMD |
| IF-30-12 | XFRMR 115/230V 6V 5A 30VA PCB |
| IXFC26N50 | MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220 |
| GLDC01A2B | SWITCH SIDE-ROTRY ROLL SNAP SPDT |
| SG901-1059B-5.0-C | 802.11 B/G/N WIRELESS USB MODULE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ30N60P | 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36N20T | 功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36N30P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36P15P | 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。