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参数资料
| 型号： | IXTQ36N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 36N30P IXTP 36N30P
IXTQ 36N30P
36
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
33
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
0
0.5
1
1.5
2 2.5
V D S - Volts
3
3.5
4
4.5
5
0
3
6
9
12 15 18
V D S - Volts
21
24
27
30
36
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.1
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
33
30
27
24
21
18
15
12
9
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
V GS = 10V
I D = 36A
I D = 18A
6
3
0
5V
0.7
0.4
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
4.2
3.8
3.4
3
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 10V
T J = 125oC
40
35
30
25
Tem perature
2.6
20
2.2
1.8
1.4
15
10
1
0.6
T J = 25oC
5
0
0
10
20
30 40 50
I D - Amperes
60
70
80
90
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2005 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 452P2P72 | CABLE R/A MALE-MALE 2POS 6' |
| XPCWHT-L1-R250-00C02 | LED XLAMP XP-C WHITE SMD |
| XPCROY-L1-R250-00803 | LED XLAMP XP-C ROYAL BLUE SMD |
| XPCROY-L1-R250-00802 | LED XLAMP XP-C ROYAL BLUE SMD |
| 274S4S1 | CABLE 4POS STR FMAL-R/A FMALE 1M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36P15P | 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500 V 0.14 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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