- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18701 > IXTQ36N30P (IXYS)MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXTQ36N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 36A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA 36N30P IXTP 36N30P
IXTQ 36N30P
70
60
Fig. 7. Input Adm ittance
35
30
Fig. 8. Transconductance
50
40
30
25
20
15
T J = -40oC
25oC
125oC
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
10
5
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
40
9
8
7
6
5
4
V DS = 150V
I D = 18A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8 0.9
V S D - Volts
1
1.1
1.2
1.3
0
10
20 30 40 50
Q G - nanoCoulombs
60
70
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
1000
f = 1MHz
C iss
100
R DS(on) Limit
T J = 150oC
T C = 25oC
C oss
25μs
100μs
100
10
C rss
10
1
DC
1ms
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 452P2P72 | CABLE R/A MALE-MALE 2POS 6' |
| XPCWHT-L1-R250-00C02 | LED XLAMP XP-C WHITE SMD |
| XPCROY-L1-R250-00803 | LED XLAMP XP-C ROYAL BLUE SMD |
| XPCROY-L1-R250-00802 | LED XLAMP XP-C ROYAL BLUE SMD |
| 274S4S1 | CABLE 4POS STR FMAL-R/A FMALE 1M |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ36N50P | 功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ36P15P | 功能描述:MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ40N50L2 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ40N50Q | 功能描述:MOSFET 40 Amps 500 V 0.14 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。