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参数资料
| 型号： | IXTQ40N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 130nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 40N50Q
40
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
90
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
35
30
25
20
15
10
5
0
V G S = 10V
7V
6V
5V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V G S = 10V
7V
6V
5V
0
1
2
3 4
V DS - Volts
5
6
7
0
3
6
9 12
V DS - Volts
15
18
21
40
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D25 Value vs.
Junction Temperature
2.8
35
30
25
20
V G S = 10V
7V
6V
2.5
2.2
1.9
1.6
V G S = 10V
I D = 40A
15
10
5
0
5V
1.3
1
0.7
0.4
I D = 20A
0
3
6
9
12
15
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D25
Value vs. I D
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.8
2.5
2.2
V G S = 10V
T J = 125 o C
40
30
1.9
1.6
1.3
1
0.7
T J = 25 o C
20
10
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2004 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ42N25P | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P |
| IXTQ44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P |
| IXTQ460P2 | MOSFET N-CH 500V 24A TO3P |
| IXTQ470P2 | MOSFET N-CH 500V 42A TO3P |
| IXTQ480P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ44N50P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ44P15T | 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ450P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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