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参数资料
| 型号： | IXTQ470P2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 42A TO3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 145 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
PolarP2 TM
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXTQ470P2
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr(typ)
=
=
≤
=
500V
42A
145 m Ω
400 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-3P
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
I DM
I A
E AS
dv/dt
P D
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
500
500
± 30
± 40
42
126
42
1.3
10
830
V
V
V
V
A
A
A
J
V/ns
W
G
D
S
G = Gate
S = Source
Features
Tab
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
T L
T SOLD
M d
Weight
Maximum Lead Temperature for Soldering
Plastic Body for 10s
Mounting Torque
300
260
1.13/10
5.5
°C
°C
Nm/lb.in.
g
Dynamic dv/dt Rated
Low Package Inductance
Advantages
High Power Density
Easy to Mount
Space Savings
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
500
2.5
4.5
± 100
5
50
V
V
nA
μ A
μ A
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
145
m Ω
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100248(03/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ480P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO3P |
| IXTQ50N20P | MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P |
| IXTQ50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P |
| IXTQ62N15P | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P |
| IXTQ75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ480P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ48N20T | 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ50N25T | 功能描述:MOSFET 50Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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