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参数资料
| 型号： | IXTQ50N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2720pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
IXTA50N20P
IXTP50N20P
IXTQ50N20P
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
200V
50A
60 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
G
TO-220 (I XTP )
S
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
50
120
A
A
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
1
A
J
G
D S
(TAB)
dV/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
10
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
360
- 55 ... +175
175
- 55 ... +175
W
° C
° C
° C
TO-3P (I XTQ )
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting torque (TO-3P,TO-220)
TO-263
TO-220
TO-3P
300
260
1.13/10
2.5
3.0
5.5
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
g
G
D
S
(TAB)
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
200 V
? International standard packages
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 150 ° C
2.5
5.0 V
± 100 nA
25 μ A
250 μ A
60 m Ω
? Low package inductance
- easy to drive and to protect
Advantages
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99156F(07/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P |
| IXTQ62N15P | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P |
| IXTQ75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
| IXTQ80N28T | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P |
| IXTQ86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ50N25T | 功能描述:MOSFET 50Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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