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参数资料
| 型号： | IXTQ50N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2720pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA50N20P IXTP50N20P
IXTQ50N20P
90
Fig. 7. Input Admittance
36
Fig. 8. Transconductance
80
70
60
50
40
32
28
24
20
16
T J = - 40oC
25oC
150oC
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
12
8
4
0
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
V G S - Volts
I
D
- Amperes
150
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
125
100
75
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
V S D - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Safe Operating Area
T J = 175oC
R DS(ON) Limit
T C = 25oC
1000
C iss
100
Single Puls e
25μs
C oss
100μs
100
10
f = 1MHz
C rss
10
1
DC
1m s
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ50N25T | MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P |
| IXTQ62N15P | MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P |
| IXTQ75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P |
| IXTQ80N28T | MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P |
| IXTQ86N20T | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ50N25T | 功能描述:MOSFET 50Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ56N15T | 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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