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参数资料
| 型号： | IXTQ86N20T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 86A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Trench Gate
Power MOSFET
IXTA 86N20T
IXTP 86N20T
IXTQ 86N20T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 86 A
≤ 29 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-263 (IXTA)
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
200
200
± 30
V
V
V
G
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C*
86
A
I L
I DM
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
75
260
A
A
TO-220 (IXTP)
I AS
E AS
T C =
T C =
25 ° C
25 ° C
10
1.0
A
J
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 3.3 Ω
3
V/ns
G
D S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
480
-55 ... +175
175
-55 ... +175
W
° C
° C
° C
TO-3P (IXTQ)
T L
T SOLD
M d
Mounting Torque (TO-220, TO-3P) 1.13 / 10 Nm/ lb.in.
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s 300 ° C
Plastic body for 10 seconds 260 ° C
G
D
S
(TAB)
F C
Weight
Mounting
Force
(TO-263) 10...65/2..5..15 N/lb.
TO-263 2 g
TO-220
3
g
TO-3P
5.5
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
International standard packages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
200
V
- easy to drive and to protect
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1 mA
3.0
5.0
V
I GSS
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
± 200
nA
Advantages
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
1
250
μ A
μ A
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
29
m Ω
DS99664(08/06)
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ90N15T | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
| IXTR16P60P | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 |
| IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
| IXTR30N25 | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ88N15 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 450V 0.022 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ88N30P | 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ90N15T | 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 20 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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