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参数资料
| 型号： | IXTQ90N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Trench Gate
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
IXTA90N15T
IXTH90N15T
IXTP90N15T
IXTQ90N15T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
150V
90A
20m Ω
Avalanche Rated
TO-263 (I XTA )
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
150
150
V
V
G
S
TO-247 (IXTH)
(TAB)
V GSM
± 30
V
I D25
I LRMS
I DM
T C = 25 ° C *
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
90
75
250
A
A
A
(TAB)
I A
E AS
T C =
T C =
25 ° C
25 ° C
4
750
A
μ J
TO-220 (I XTP )
dV/dt
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
10
V/ns
D
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
455
-55 ... +175
175
-55 ... +175
W
° C
° C
° C
G
S
TO-3P (IXTQ)
(TAB)
T L
T SOLD
M d
F C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s 300
Plastic body for 10 seconds 260
Mounting Torque(TO-220,TO-3P,TO-247) 1.13/10
Mounting Force (TO-263) 10..65/2.2..14.6
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
G
D
S
(TAB)
Weight
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
2.5
3
5.5
6
g
g
g
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
International standard packages
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
- easy to drive and to protect
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
150
V
Applications
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
2.5
4.5
V
DC-DC converters
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200 nA
Battery chargers
Switched-mode and resonant-mode
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
17
5 μ A
250 μ A
20 m Ω
power supplies
DC choppers
AC motor control
Uninterruptible power supplies
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99857(08/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR16P60P | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 |
| IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
| IXTR30N25 | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 |
| IXTR32P60P | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ96N25T | 功能描述:MOSFET 96 Amps 250V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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