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参数资料
| 型号： | IXTQ90N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 90A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 45A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 455W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA90N15T IXTH90N15T
IXTP90N15T IXTQ90N15T
90
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
240
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
80
70
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
220
200
180
160
V GS = 10V
9V
8V
7V
50
40
30
6V
140
120
100
80
20
60
40
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
90
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value
vs. Junction Temperature
80
70
60
V GS = 10V
8V
7V
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
50
6V
2.0
1.8
I D = 90A
I D = 45A
40
30
20
10
0
5V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.5
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 45A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
External Lead Current Limit
3.5
70
60
3
50
2.5
40
2
30
1.5
1
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
40
80
120
160
200
240
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR16P60P | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXTQ98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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