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参数资料
| 型号： | IXTR16P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 790 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarP TM
Power MOSFET
IXTR16P60P
V DSS
I D25
R DS(on)
= - 600V
= - 10A
≤ 790m Ω
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
ISOPLUS247 (IXTR)
E153432
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
- 600
- 600
V
V
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
- 10
V
V
A
Isolated Tab
I DM
I AR
E AS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
- 48
- 16
2.5
A
A
J
G = Gate
S = Source
D = Drain
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
M d
Weight
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
50/60 Hz, RMS t = 1min
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting force
10
190
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
20..120 / 4.5..27
5
V/ns
W
° C
° C
° C
° C
° C
V~
V~
N/lb.
g
Features
Silicon chip on Direct-Copper Bond
(DCB) substrate
- UL recognized package
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Avalanche rated
The rugged PolarP TM process
Low Q G
Low Drain-to-Tab capacitance
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Applications
High side switching
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Push-pull amplifiers
DC Choppers
Automatic test equipment
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = - 250 μ A
V DS = V GS , I D = - 250 μ A
- 600
- 2.5
- 4.5
V
V
Load-Switch Application
Fuel Injection Systems
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = -10V, I D = - 8A, Note 1
T J = 125 ° C
- 25 μ A
- 200 μ A
790 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99989(5/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
| IXTR30N25 | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 |
| IXTR32P60P | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
| IXTR36P15P | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR170P10P | 功能描述:MOSFET -108.0 Amps -100V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR200N10P | 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR20P50P | 功能描述:MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR30N25 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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