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参数资料
| 型号： | IXTR36P15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 55nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarP TM Power MOSFET
(Electrically Isolated Tab)
IXTC36P15P
IXTR36P15P
V DSS
I D25
R DS(on)
= -150V
= - 22A
≤ 120m Ω
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
ISOPLUS247 (IXTR)
E153432
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
Maximum Ratings
-150
V
G
D
S
Isolated
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
-150
± 20
± 30
V
V
V
ISOPLUS220 (IXTC)
E153432
I D25
I DM
I A
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
- 22
-100
- 36
A
A
A
G
D
S
Isolated
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175 ° C
T C = 25 ° C
1.5
10
150
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
F C
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, RMS, t = 1minute
Mounting Force (ISOPLUS220)
Mounting Force (ISOPLUS247)
ISOPLUS220
ISOPLUS247
- 55 ... +175
175
- 55 ... +175
300
260
2500
11..65 / 25..14.6
20..120 / 4.5..27
2
5
° C
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb
N/lb
g
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper Bond
(DCB) Substrate
Isolated Mounting Surface
2500V ~ Electrical Isolation
Avalanche Rated
Extended FBSOA
Fast Intrinsic Diode
Low R DS(ON) and Q G
Advantages
Easy to Mount
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Space Savings
High Power Density
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = - 250 μ A
V DS = V GS , I D = - 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = -10V, I D = -18A, Note 1
T J = 150 ° C
-150
- 3.0
V
- 5.0 V
± 100 nA
- 10 μ A
- 250 μ A
120 m Ω
Applications
High-Side Switching
Push Pull Amplifiers
DC Choppers
Automatic Test Equipment
Current Regulators
Battery Charger Applications
? 2011 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99792A(01/11)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR48P20P | MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 |
| IXTR62N15P | MOSFET N-CH ISOPLUS-247 |
| IXTT100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 |
| IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| IXTT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR40P50P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR48P20P | 功能描述:MOSFET -30.0 Amps -200V 0.093 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR90P10P | 功能描述:MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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