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参数资料
| 型号： | IXTR16P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 790 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXTR16P60P
-16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-38
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-14
- 7V
-34
- 7V
-12
- 6V
-30
-26
-10
-22
-8
-6
-4
-18
-14
-10
- 6V
-2
- 5V
-6
- 5V
-2
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = -10V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Junction Temperature
-14
- 7V
2.2
V GS = -10V
2.0
-12
-10
- 6V
1.8
1.6
I D = -16A
I D = - 8A
-8
-6
1.4
1.2
-4
-2
0
- 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Drain Current
-11
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
1.8
V GS = -10V
T J = 125oC
-10
-9
-8
-7
1.6
1.4
-6
-5
-4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-3
-2
-1
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR200N10P | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
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| IXTR32P60P | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR170P10P | 功能描述:MOSFET -108.0 Amps -100V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR200N10P | 功能描述:MOSFET 133 Amps 100V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR20P50P | 功能描述:MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR30N25 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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