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参数资料
| 型号： | IXTR200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
Polar TM HiPerFET
Power MOSFET
Electrically Isolated Tab
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Recovery Diode
IXTR 200N10P
V DSS = 100 V
I D25 = 120 A
R DS(on) ≤ 8 m ?
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM (IXTR)
E153432
V DSS
V DGR
V GS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
100
100
± 20
± 30
V
V
V
V
I D25
I D(RMS)
T C = 25 ° C
External lead current limit
120
75
A
A
ISOLATED TAB
I DM
I AR
E AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
400
60
100
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
D = Drain
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
Low drain to tab capacitance(<30pF)
Avalanche voltage rated
E AS
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
T C = 25 ° C
4
10
300
-55 ... +175
175
-55 ... +150
J
V/ns
W
° C
° C
° C
Features
l
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
l
l
V ISOL
50/60 Hz, RMS, 1 minute
2500
V~
l
Fast recovery intrinsic diode
DC-DC converters
Battery chargers
F C
Weight
Mounting Force
20..120/4.6..20
5
Nm/lb
g
Applications
l
l
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
100
V
l
AC motor control
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 500 μ A
3.0
5.0
V
Advantages
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 60 A
V GS = 15 V, I D = 400A
T J = 150 ° C
T J = 175 ° C
5.5
± 100
25
250
1000
8.0
nA
μ A
μ A
μ A
m ?
m ?
l
l
l
Easy assembly
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99365E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
| IXTR30N25 | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 |
| IXTR32P60P | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
| IXTR36P15P | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
| IXTR48P20P | MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR20P50P | 功能描述:MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR30N25 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR32P60P | 功能描述:MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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