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参数资料
| 型号： | IXTR200N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 235nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXTR 200N10P
200
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
350
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
175
V GS = 10V
9V
300
V GS = 10V
9V
150
250
125
100
8V
200
8V
150
75
50
25
0
7V
6V
100
50
0
7V
6V
0
0.2
0.4
0.6 0.8
V D S - V olts
1
1.2
1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3
V D S - V olts
3.5
4
4.5
5
200
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 150 o C
2.4
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 100A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
175
150
125
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2
1.8
V GS = 10V
I D = 200A
1.6
100
75
50
25
0
7V
6V
5V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
I D = 100A
0
0.5
1
1.5 2
V D S - V olts
2.5
3
3.5
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
2.4
Fig. 5. R DS(on) Nor m alize d to I D = 100A
V alue vs . Drain Curr e nt
90
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
2.2
80
Ex ternal Lead Current limit
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
V GS = 15V - - - -
T J = 175 o C
T J = 25 o C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
50
100
150 200
I D - A mperes
250
300
350
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR20P50P | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
| IXTR30N25 | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 |
| IXTR32P60P | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
| IXTR36P15P | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
| IXTR48P20P | MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR20P50P | 功能描述:MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR30N25 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR32P60P | 功能描述:MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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