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参数资料
| 型号： | IXTQ60N20L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
Linear L2 TM Power
MOSFET w/ Extended
FBSOA
IXTT60N20L2
IXTQ60N20L2
IXTH60N20L2
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200V
= 60A
≤ 45m Ω
N-Channel Enhancement Mode
TO-268 (IXTT)
Avalanche Rated
G
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
Tab
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
200
200
± 20
± 30
V
V
V
V
TO-3P (IXTQ)
G
D
I D25
I DM
I A
E AS
P D
T C = 25°C
T C = 25°C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25°C
T C = 25°C
T C = 25°C
60
150
60
2
540
A
A
A
J
W
S
TO-247(IXTH)
Tab
T J
-55 to +150
°C
T JM
T stg
+150
-55 to +150
°C
°C
G
D
S
Tab
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.063in) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-247&TO-3P)
TO-268
TO-3P
TO-247
300
260
1.13/10
4.0
5.5
6.0
°C
°C
Nm/lb.in.
g
g
g
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
Tab = Drain
Designed for Linear Operation
International Standard Packages
Avalanche Rated
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Guaranteed FBSOA at 75°C
Advantages
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 1mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125°C
200
2.5
V
4.5 V
±100 nA
5 μ A
50 μ A
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
45 m Ω
Solid State Circuit Breakers
Soft Start Controls
Linear Amplifiers
Programmable Loads
Current Regulators
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100203(10/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2029SS2G30 | SW TOGGLE DPDT SMOOTH .4VA GOLD |
| C20F.0022 | C20F APPLIANCE INLET FLTR 20A M5 |
| M2015S2A2W30 | SW TOGGLE SPDT SMOOTH SILVER |
| B32523Q3225K289 | FILM CAP 2.2UF 10% 250V |
| M2013S2A2G30 | SWITCH TOGGLE SPDT .4VA PC TAIL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ60N20T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated |
| IXTQ60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ64N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET |
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