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参数资料
| 型号： | IXTQ60N20L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTT60N20L2 IXTQ60N20L2
IXTH60N20L2
1,000
Fig. 13. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
RDS(on) Limit
25μs
1,000
Fig. 14. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
RDS(on) Limit
100
100μs
100
25μs
100μs
1ms
1ms
10
1
DC
10ms
100ms
10
1
DC
10ms
100ms
1
10
100
1,000
1
10
100
1,000
V DS - Volts
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
V DS - Volts
IXYS REF: T_60N20L2(8R)09-29-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2029SS2G30 | SW TOGGLE DPDT SMOOTH .4VA GOLD |
| C20F.0022 | C20F APPLIANCE INLET FLTR 20A M5 |
| M2015S2A2W30 | SW TOGGLE SPDT SMOOTH SILVER |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ60N20T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated |
| IXTQ60N30T | 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ62N25T | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ64N25 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:PolarHT Power MOSFET |
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