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参数资料
| 型号： | IXTQ96N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 96A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 96A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTH96N25T IXTQ96N25T
IXTV96N25T
100
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
90
80
70
60
50
40
30
20
8V
7V
6V
180
160
140
120
100
80
60
40
8V
7V
6V
10
0
5V
20
0
5V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
100
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 48A Value
vs. Junction Temperature
90
V GS = 10V
8V
7V
2.8
V GS = 10V
80
70
2.4
60
6V
2.0
I D = 96A
50
40
1.6
I D = 48A
30
5V
1.2
20
0.8
10
0
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 48A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
3.0
2.6
2.2
1.8
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
60
50
40
External-Lead Current Limit
30
1.4
1.0
0.6
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2038SS1W01 | SWITCH TOGGLE 3PDT MOM 6A 5PCS |
| B32686S7224J563 | FILM CAP 0.2200UF 5% 1250V MFP |
| P2023B | SW TOGGLE DPDT LG BAT SLD LUG |
| B32776G4306K | FILM CAP 30UF 10% 450V MKP |
| S3AWF | SWITCH TOGGLE SPDT QUICK CONNECT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ98N20T | 功能描述:MOSFET 98 Amps 200V 26 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR120P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR140P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR16P60P | 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR170P10P | 功能描述:MOSFET -108.0 Amps -100V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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