- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录464 > IXTR20P50P (IXYS)MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTR20P50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 490 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 103nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXTR20P50P
-35
-30
-25
Fig. 7. Input Admittance
40
35
30
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
25
-20
20
-15
-10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
15
125oC
10
-5
0
5
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-60
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-9
V DS = -250V
-50
-8
I D = - 10A
I G = -1mA
-7
-40
-6
-30
-5
-4
-20
T J = 125oC
-3
T J = 25oC
-2
-10
-1
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
- 100.0
- 10.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
100μs
1ms
Coss
10ms
100
- 1.0
f = 1 MHz
Crss
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
10
- 0.1
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR30N25 | MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247 |
| IXTR32P60P | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
| IXTR36P15P | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
| IXTR48P20P | MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 |
| IXTR62N15P | MOSFET N-CH ISOPLUS-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR210P10T | 功能描述:MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR30N25 | 功能描述:MOSFET 25 Amps 250V 0.075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR32P60P | 功能描述:MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR40P50P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。