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参数资料
| 型号： | IXTR48P20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 93 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 103nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 190W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXTR48P20P
-90
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
T J = - 40oC
25oC
125oC
55
50
45
40
35
30
25
20
15
T J = - 40oC
25oC
125oC
10
-10
0
5
0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-7.5
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-140
-120
-100
-80
-60
T J = 125oC
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
V DS = -100V
I D = - 24A
I G = -1mA
-40
-20
0
T J = 25oC
-2
-1
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
- 1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1,000
Coss
- 100
R DS(on) Limit
100μs
1ms
- 10
10ms
100
f = 1 MHz
Crss
- 1
DC
100ms
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 1
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR62N15P | MOSFET N-CH ISOPLUS-247 |
| IXTT100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 |
| IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
| IXTT120N15P | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 |
| IXTT16P60P | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR90P10P | 功能描述:MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR90P20P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT02N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET |
| IXTT100N25P | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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