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参数资料
| 型号： | IXTT16P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 720 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarP TM
Power MOSFET
IXTH16P60P
IXTT16P60P
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
- 600V
- 16A
720 m Ω
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-268 (IXTT)
G
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
D (TAB)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
I D25
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
- 600
- 600
± 20
± 30
- 16
V
V
V
V
A
TO-247 (IXTH)
I DM
I AR
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
- 48
- 16
A
A
G
D
S
D (TAB)
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
2.5
10
460
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
Features:
International standard packages
Avalanche Rated
Rugged PolarP TM process
Low package inductance
M d
Weight
Mounting torque
TO-268
TO-247
(TO-247)
1.13 / 10
5
6
Nm/lb.in.
g
g
- easy to drive and to protect
Applications:
High side switching
Push-pull amplifiers
DC Choppers
Current regulators
Automatic test equipment
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages:
BV DSS
V GS = 0V, I D = - 250 μ A
- 600
V
Low gate charge results in simple
drive requirement
V GS(th)
V DS = V GS , I D = - 250 μ A
- 2.5
- 4.5
V
High power density
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
Fast switching
Easy to parallel
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = -10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125 ° C
- 25 μ A
- 200 μ A
720 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99988(5/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
| IXTT20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT1N100 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT1N250HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV |
| IXTT1N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 |
| IXTT20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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