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参数资料
| 型号： | IXTT16P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 16A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 720 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 92nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 460W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH16P60P
IXTT16P60P
-16
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-38
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-14
- 7V
-34
- 7V
-12
- 6V
-30
-26
-10
-22
-8
-6
-4
-18
-14
-10
- 6V
-2
- 5V
-6
- 5V
-2
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
-16
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = -10V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Junction Temperature
-14
- 7V
2.2
V GS = -10V
2.0
-12
-10
- 6V
1.8
1.6
I D = -16A
I D = - 8A
-8
-6
1.4
1.2
-4
-2
0
- 5V
1.0
0.8
0.6
0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = - 8A vs.
Drain Current
-18
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
V GS = -10V
T J = 125oC
-16
-14
1.8
1.6
1.4
-12
-10
-8
-6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-4
-2
0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
| IXTT20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT1N100 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT1N250HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV |
| IXTT1N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 |
| IXTT20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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