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参数资料
| 型号： | IXTT170N10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 170A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 198nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Polar TM
Power MOSFET
IXTT170N10P
IXTQ170N10P
IXTK170N10P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 170A
≤ 9m Ω
N-Channel Enhancement Mode
TO-268 (IXTT)
Avalanche Rated
G
S
Tab
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25°C to 175°C
Maximum Ratings
100
V
TO-3P (IXTQ)
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25°C to 175°C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
100
± 20
± 30
V
V
V
G
D
S
Tab
I D25
I L(RMS)
I DM
I A
T C = 25°C
External Lead Current Limit
T C = 25°C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25°C
170
160
350
60
A
A
A
A
TO-264 (IXTK)
E AS
dv/dt
P D
T C = 25°C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
T C = 25°C
2
10
715
J
V/ns
W
G
D
S
Tab
T J
T JM
T stg
-55 to +175
+175
-55 to +175
°C
°C
°C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.063in) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-264 & TO-3P)
TO-268
TO-3P
TO-264
300
260
1.13/10
4.0
5.5
10.0
°C
°C
Nm/lb.in.
g
g
g
Features
International Standard Packages
Fast Intrinsic Rectifier
Avalanche Rated
Low R DS(ON) and Q G
Low Package Inductance
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
Easy to Mount
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 150°C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 15V, I D = 350A
100
2.5
7
V
5.0 V
±100 nA
25 μ A
250 μ A
9 m Ω
m Ω
Space Savings
Applications
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99176F(01/10)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268 |
| IXTT20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXTT30N50L | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT1N100 | 功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT1N250HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV |
| IXTT1N450HV | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 |
| IXTT20N50D | 功能描述:MOSFET 20 Amps 500V 0.33 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT20P50P | 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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