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参数资料
| 型号： | IXTT20N50D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
High Voltage
MOSFET
N-Channel , Depletion Mode
IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
V DSS = 500 V
I D25 = 20 A
R DS(on) = 0.33 Ω
Preliminary Data Sheet
TO-247 (IXFH)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSX
V DGX
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
500
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
I DM
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C; pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
20
50
400
A
A
W
TO-268 (IXTT)
T J
T JM
T stg
-55 ... + 150
150
-55 ... + 150
° C
° C
° C
G = Gate
G
S
D (TAB)
D = Drain
T L
T ISOL
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 seconds
Plastic case for 10 seconds
Mounting torque
TO-247
300
300
1.13/10
6
° C
° C
Nm/lb.in.
g
S = Source
Features
TAB = Drain
TO-268
4
g
Normally ON Mode
International standard packages
Molding epoxies meet UL 94 V-0
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
flammability classification
Applications
V DSX
V GS = -10 V, I D = 250 mA
500
V
V GS(off)
I GSS
I DSX(off)
R DS(on)
I D(on)
V DS = 25 V, I D = 250 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = -10 V
V GS = 10 V, I D = 10 A
V GS = 0 V, V DS = 25 V
-1.5
T J = 25°C
T J = 125°C
Note 1
Note 1
1.5
-3.5
± 100
25
500
0.33
V
nA
μ A
μ A
Ω
A
Level shifting
Triggers
Solid State Relays
Current Regulators
Active load
? 2006 IXYS All rights reserved
99192(01/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXTT30N50L | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| IXTT30N60L2 | MOSFET N-CH 30A 600V TO-268 |
| IXTT30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT20P50P | 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT24P20 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT26N50P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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