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参数资料
| 型号： | IXTT20N50D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
25
20
Fig. 7. Input Adm ittance
V DS = 30V
14
12
Fig. 8. Trans conductance
V DS = 30V
15
10
8
T J = -40oC
25oC
125oC
10
T J = 125oC
25oC
6
4
5
0
-40oC
2
0
-2
-1
0
1
2
3
0
5
10
15
20
25
30
60
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur r e nt vs .
Sour ce -To-Dr ain V oltage
1.4
I D - Amperes
Fig. 10. De pe nde nce of Bre ak dow n and
Thr e s hole V oltage s on Te m pe rature
55
50
45
40
35
V GS = -10V
1.3
1.2
V GS(off) @ V DS = 25V
30
25
T J = 125oC
1.1
20
15
10
T J = 25oC
1
0.9
BV DSS @ V GS = -10V
5
0
0.8
0.5
0.6
0.7 0.8
V S D - V olts
0.9
1
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
11
Fig. 11. Gate Charge
10000
Fig. 12. Capacitance
9
V DS = 250V
7
5
I D = 10A
I G = 10mA
1000
C iss
3
C oss
1
100
-1
-3
-5
10
f = 1MHz
V GS = -10V
C rss
0
20
40 60 80 100
Q G - nanoCoulombs
120
140
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXTT30N50L | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| IXTT30N60L2 | MOSFET N-CH 30A 600V TO-268 |
| IXTT30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT20P50P | 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT24P20 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT26N50P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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