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参数资料
| 型号： | IXTT20N50D |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 330 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 20N50D
IXTT 20N50D
20
Fig . 1. Ou tp u t C h ar acte r is tics
@ 25 o C
40
Fig . 2. Exte n d e d Ou tp u t C h ar acte r is tics
@ 25 o C
18
16
V GS = 5V
4V
3V
0V
35
30
V GS = 5V
4V
14
12
25
3V
10
2V
20
8
15
2V
6
1V
10
4
2
0V
5
1V
0V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-1V
8
9
10
0
0
3
6
9
12 15 18
V D S - V olts
21
24
27
30
V D
S
- V olts
20
Fig. 3. Output Ch ar acte r is tics
@ 125 o C
2.8
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to 0.5 I D25
Value vs . Junction Te m pe rature
18
16
V GS = 5V
4V
3V
2.6
2.4
2.2
I D = 10A
14
2
12
1.8
V GS = 5V
10
2V
1.6
8
6
4
2
0
1V
0V
-1V
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
0
2
4
6
8 10 12
V D S - V olts
14
16
18
20
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
Fig. 6. Drain Current vs. Case
3
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 10V
T J = 125oC
V GS = 5V
T J = 25oC
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Tem perature
0
5
10 15
I D - Amperes
20
25
30
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT26N50P | MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 |
| IXTT26N60P | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 |
| IXTT30N50L | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 |
| IXTT30N60L2 | MOSFET N-CH 30A 600V TO-268 |
| IXTT30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT20P50P | 功能描述:MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT24N50Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 500V 0.23 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT24P20 | 功能描述:MOSFET 24 Amps 200V 11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT26N50P | 功能描述:MOSFET 26 Amps 500V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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